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稀磁半导体由于可以同时利用电子的自旋和电荷属性而引起了人们的关注。2000年，Dielt等人通过理论计算预言了Mn掺杂p型ZnO中室温铁磁性的存在，引起了人们对氧化物半导体的研究热情，但由于无法排除过渡金属团簇及第二杂质相的干扰和影响，因此关于铁磁性起源的问题存在很大争议。2004年Coey等人提出的d0铁磁性不仅为当前的磁性理论体系提出新的挑战，而且有效避免了铁磁性第二相的影响，对探究铁磁性起源具有现实指导意义。ZnO是最早被预言具有室温铁磁性的宽禁带半导体，其本身也具有丰富多样的电学和光