垂直取向L1_0-FePt薄膜的生长与物性

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Llo-FePt合金具有高的单轴磁晶各向异性能Κu(~7x107 erg/cm3),常温下保持磁化状态稳定的微粒尺寸可以小到3nm,认为是最有希望的超高密度垂直磁记录介质材料。本论文采用磁控溅射技术在MgO基片上沉积了FePt薄膜,通过直接加热或者后续热处理,对FePt薄膜的有序化、取向以及形貌的连续性进行了探讨;用微磁学方法对单畴粒子的自发磁化和磁化反转过程进行了模拟,并对高温环境中薄膜连续性的变化原因进行了分析。用磁控共溅射法在加热到700℃的MgO(001)基板上沉积的FePt薄膜
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ZnO是一种具有广泛用途的新型Ⅱ-Ⅵ族多功能半导体材料,其室温禁带宽度是3.37eV,具有良好电学和光学特性,是制作紫外探测器件和紫外发光器件的理想材料。目前生长较高质量的ZnO薄膜通常采用蓝宝石,GaN或ZnO单晶为衬底,因为他们与ZnO晶格失配较小,但这几种材料价格昂贵,导电性差,难以集成。而在Si衬底上生长ZnO薄膜则可以克服以上缺点,但单晶Si与ZnO的晶格失配很大,很难在Si衬底上生长高
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