AlGaN/GaN HEMT器件由于其高温、高频、大功率等特性方面的优势,已经在微波大功率电路方面得到了广泛应用。成功的电路设计需要准确的器件建模,小信号建模和大信号建模在微波电路设计中占有重要位置。AlGaN/GaN HEMT器件的小信号建模已经进行了广泛的研究,然而在高频部分的拟合结果并不理想。这主要是由于当器件的工作频率高于40GHz时共面波导效应的影响非常明显,所以在小信号等效电路模型中引入了栅源和栅漏共面波导电容Ccpwgs和Ccpwgs。同时引入了栅微分电阻Rfs和Rfd来表征的器件的栅极泄漏电流。在提取小信号等效电路模型参数中的寄生电容时,栅压正偏,栅微分电阻不能忽略；器件的工作频率很高,二维电子气层相当于传输线,其分布效应不能忽略。基于传统的提取算法,通过对不同栅压偏置下冷场z参数进行线性插值运算,消除了沟道分布电阻和栅微分电阻的影响,准确提取得到寄生电阻。寄生参数提取完成后,用不同偏置下的热场S参数对寄生参数部分进行去嵌得到本征Y参数,运用本征参数提取算法得到所有偏置下的本征参数值。分析表明,S参数的仿真结果与测试数据在200MHz到50GHz的频率范围内均符合很好。进而建立了AlGaN/GaN HEMT器件的大信号等效电路模型,模型包括了压控电流源以及与偏置相关的电容模型元件。运用的I-V模型能够在较大的电压范围内拟合漏电流测试结果。并提出了改进的C-V模型,运用此改进模型对器件的C-V特性进行拟合,模型拟合数据与测试数据得到了很好的符合。