发光波长在200nm至350nm的深紫外发光二极管在生物医疗、防伪鉴定、水和空气净化、计算机数据存储和军事等领域有着广阔的应用前景，成为半导体领域研究和投资的新热点。并且随着技术的发展，新的应用将不断出现并替代原有的技术和产品。然而由于较低的内量子效率和极低的光抽取效率，深紫外LED的发光效率一直不高。近年来，人们致力于提高深紫外LED发光效率的研究。通过理论计算和实验研究，找到了多种提高方法，而将金属表面等离激元效应用于提高深紫外LED的发光效率，则是近年来研究的热点。　　本文制备了金属Al纳米颗粒，研究了影响其表面形貌和局域表面等离激元共振特性的因素，在此基础上将Al纳米颗粒用于提高深紫外LED的光抽取效率，并详细研究了不同倾斜角度对Al纳米颗粒尺寸及深紫外LED发光光谱的影响。本论文的主要工作有以下几个方面内容:　　1.Al纳米颗粒的制备　　提出了两种Al纳米颗粒的制备方法:原位退火法和倾斜沉积法。表面形貌表征显示，倾斜沉积法能制备出尺寸小、密度高的Al纳米颗粒结构。　　2.Al纳米颗粒的尺寸及局域表面等离激元影响因素的研究　　用倾斜沉积法制备出Al纳米颗粒，分析了金属颗粒的表面形貌及消光谱。实验结果表明，不同倾斜角度可以改变Al纳米颗粒的尺寸，进而改变局域表面等离激元共振波长。同时，沉积的Al纳米颗粒结构与衬底有关。　　3.具有局域表面等离激元的深紫外LED的制备及其性能研究　　成功制备出具有局域表面等离激元的深紫外LED，并对其表面形貌和发光光谱特性进行分析。与普通平面深紫外LED相比，具有局域表面等离激元的深紫外LED的PL谱峰增强至393.9％，EL谱峰也提高到6.3倍。Al纳米颗粒所产生的局域表面等离激元效应大大提高了深紫外LED的光抽取效率。