在该文中,我们详尽地搜寻和考察了已有的有关负电容的几乎所有的报导,总结了已取得的结果和尚存在的不足,重点放在对各种测试方法的分析和讨论上,并提出了一些改进意见.我们详尽地分析了半导体二极管正向交流特性,给出了结电容及其它一些参数在各种条件下的表达式.我们发现,在正向偏压下,交流特性的实部和虚部总是紧密联系在一起的,必须同时测量,一并计算.利用我们提出的方法,我们测试了GaN基肖特基二极管和发光二极管的正向交流特性,发现在较大电压下它们大都呈现负电容现象.一般说来,频率越低,电压越高,负电容现象越明显.肖特基二极管负电容可能与陷阱效应有关,GaN基发光二极管的负电容效应则很可能与发光有关.实验结果表明,该文提出的方法是可靠、灵敏的,它有望在器件的应用和理论研究上发挥更重要的作用.