BST基陶瓷材料的制备及电学性能研究

来源 :西安电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yush2000
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
与传统电池相比,储能介质陶瓷电容器具有功率密度大、充放电速度快等优点,目前储能介质陶瓷材料已成为研究热点,但迄今为止,大多数研究中具有高储能特性的大多是含铅型陶瓷材料,铅元素不仅会对环境造成巨大污染,还会对人类健康产生损害。钛酸锶钡基无铅储能陶瓷材料具有灵活的介电可调性、介电常数高及介电损耗低等优点,在储能介质陶瓷中受到广泛关注,但其烧结温度高,生产制备过程中能耗大,不利于节能减排;同时BST基陶瓷最大击穿场强相对较低,难以获得高的储能密度;并且BST基储能介质陶瓷的温度稳定性较差,限制了其在储能陶瓷领域的应用。因此,本文以降低BST基陶瓷的烧结温度、提高其储能特性及温度稳定性为目的,开展了以下研究:采用固相法制备了Ba0.4Sr0.6Ti O3陶瓷样品,在不同预烧温度和不同烧结温度下,都能得到相结构为立方相的Ba0.4Sr0.6Ti O3陶瓷样品。当预烧温度为1000℃、烧结温度为1420℃时,得到的Ba0.4Sr0.6Ti O3饱和极化强度Pmax为16.23μC/cm~2,击穿场强Eb为155 k V/cm,此时储能特性也达到最佳,储能密度Wrec为0.927 J/cm~3,储能效率η为73.9%。用固相法制备了(1-x)Ba0.4Sr0.6Ti O3-x Bi(Mg2/3Nb1/3)O3陶瓷样品((1-x)BST-x BMN),当x≤0.15时,陶瓷样品中只存在单一的钙钛矿结构,当x>0.15时,会出现第二相Sr Nb2O6。BMN掺杂量的增加使介电常数和介电损耗不断降低,P-E曲线变得更加细长,Pmax和Pr逐渐减小。根据电滞回线得到储能特性曲线,当BMN掺杂量为0.15 mol、烧结温度为1250℃时,试样的储能特性最优异,储能密度Wrec为0.832 J/cm~3,储能效率η为89.5%。在100 k V/cm的电场下,当测试温度从30℃升高到120℃,0.85BST-0.15BMN陶瓷样品的储能密度从0.777 J/cm~3降低到0.750 J/cm~3,储能效率从91.96%降低到86.15%,在较宽的温度范围内储能密度具有良好的温度稳定性。Eb用固相法制备了(1-x)Ba0.4Sr0.6Ti O3-x Bi(Mg2/3Ta1/3)O3陶瓷样品((1-x)BST-x BMT),当x≤0.15,陶瓷样品中只存在钙钛矿结构,无杂相。BMT掺杂量的增加使介电常数和介电损耗不断减小,P-E曲线也逐渐变细,Pmax和Pr先增大又减小。根据电滞回线得到储能特性曲线,当BMT掺杂量为0.075 mol、烧结温度为1220℃时,(1-x)BST-x BMT陶瓷样品的储能特性最优异,此时Wrec为0.568 J/cm~3,η为91.4%。在100 k V/cm的电场下,当测试温度从30℃升高到120℃,0.925BST-0.075BMN陶瓷样品的储能密度从0.296 J/cm~3降低到0.263 J/cm~3,储能效率从92.46%降低到84.68%。搭建BST基陶瓷材料人工神经网络专家系统,对BMT掺杂BST陶瓷材料的储能特性实验数据进行网络仿真训练,得到储能密度的最佳网络训练参数是学习速率为0.6、动量因子为0.8、隐含层数为2、隐含层节点数为(4,7);得到储能效率的最佳网络训练参数是学习速率为0.7、动量因子为0.8、隐含层数为2、隐含层节点数为(4,5)。设置好最佳网络训练参数条件,利用单点预测功能对BMT掺杂BST陶瓷材料的储能特性参数进行预测,其中储能密度参数的预测值平均相对误差最大为0.7808%,最小为0.1211%;储能效率参数的预测值平均相对误差最大为3.7850%,最小为0.0046%。预测值与实际值的误差较小,因此该系统能准确地预测BMT掺杂BST陶瓷的储能特性,具有一定的参考价值和指导作用。
其他文献
随着大数据时代的不断发展,人工智能、万物互联等技术在不断的进步,人们对计算速度更快、能耗更低的计算网络或设备的需求也在随之增加。大脑解决复杂问题的能力激发了许多研究人员对其处理信息的功能和学习机制的研究兴趣,人工神经网络就是对大脑处理问题功能的研究结果。而忆阻器作为一种新兴的纳米级电子元件,它的电导可调性可以模拟生物系统中突触的可塑性,同时它还具有集成度高、能耗低、结构简单等优点,因此被广泛的应用
学位
卤化铅钙钛矿具有窄带发射、覆盖整个可见光谱的可调谐发射、高发光量子产率、可溶液合成等优点,被广泛应用于发光二极管、光电探测器、太阳能电池、医学成像等领域。纯相钙钛矿纳米晶薄膜中存在大量晶界、有机配体及空位缺陷等,易形成复合中心,降低光生载流子输运及光电转换器件性能。采用二维材料与钙钛矿纳米晶复合构建纳米异质结是有效增强光生载流子界面分离和输运的手段之一。然而,石墨烯、过渡金属硫化物、黑磷等传统二维
学位
进入新世纪以来,新一轮科技革命与产业变革孕育兴起,中国面临推动科技创新事业发展的重大机遇。党的十八大以来,习近平在继承、发展马克思主义科技创新理论的基础上指出,要把创新放在国家发展的重要位置,并从中华民族复兴的长远角度和战略高度出发,围绕科技创新发表了一系列论述。本文通过文献分析法、规范分析法等,梳理习近平关于科技创新重要论述的生成逻辑、主要内容及时代价值,把握习近平关于科技创新重要论述的发展脉络
学位
改革开放以来,我国生产力迅速发展,经济水平不断提高,人民生活条件得到不断改善。与此同时,经济的快速发展也带来了对资源环境的破坏,传统的只注重经济效益而忽视资源环境效益的发展模式难以为继。“十四五”规划建议中提出要“推动绿色发展,促进人与自然和谐共生”,2020年9月联合国大会首次提出“双碳”目标,碳中和、碳达峰、绿色发展成为社会关注焦点,如何走一条绿色可持续发展道路已经成为我国面临的迫切问题。在这
学位
近年来,冲突已是人类社会颇受关注的课题。各个领域的学者都致力于对冲突分析模型的研究。最为经典的是Pawlak所提出的冲突分析模型,用完备的三值信息表进行研究。随后,学者们对其进行更深入的研究,建立了许多冲突分析的模型。但是在现有的冲突分析模型当中,并未考虑到信息表中信息的缺失情况。因此,本文拟在不完备信息系统中研究冲突分析,具体内容如下:1.提出不完备三值信息系统的冲突分析模型。首先,对于信息表中
学位
压电陶瓷是一种重要的换能材料,在电子信息、机电换能、通信等领域有着广泛的应用,但目前应用最广泛的压电陶瓷中含有铅元素,会给人类健康和生态环境带来巨大危害,因而需要研发高性能无铅压电陶瓷来取代铅基压电陶瓷的应用。Bi0.5Na0.5Ti O3(BNT)基无铅压电陶瓷具有优异的铁电性能,但存在矫顽场大、电导率高等缺点,使其难以充分极化,表现出低的压电性能;虽然通过在BNT中固溶Ba Ti O3(BT)
学位
有机压电材料P(VDF-TrFE)因其具有优异的压电性是而被广泛研究。由于该材料显示出绝缘体特性,因此相关研究倾向于将P(VDF-TrFE)和有机半导体结合起来制备同时具有压电性和半导体性质的功能材料。这些功能材料在纳米机器人、人机交互、能量收集等领域中具有广泛的应用前景。本文以P(VDF-TrFE)和有机半导体PFO相分离薄膜为主要研究对象,并制备了以P(VDF-TrFE)/PFO相分离薄膜为基
学位
氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频及大功率方面展现出了巨大的优势,在我国国防及航天航空领域应用中具有广阔的前景。但在面临复杂的辐射环境时,器件的可靠性受到了巨大挑战。器件在工作时受到的辐射源大部分是质子,而国内外的研究主要是基于高能质子,对低能质子的研究较少。因此,本文基于低能质子对AlGaN/GaN HEMT器件的辐射效应研究,重点对辐射缺陷进行了系统的表征。本文主要研究工作
学位
高镍层状Li Ni0.8Co0.1Mn0.1O2(NCM811)正极材料具有可逆比容量大、成本低、操作电压范围广等优点。但是,NCM811也存在锂镍混排、不可逆相变、晶格氧逸失、微裂纹和过渡金属溶解等问题,导致其电化学性能快速恶化,限制了其广泛应用。研究发现,表面包覆可以稳定材料表面的物理化学性质、改善Li+迁移、降低界面阻抗和抑制界面副反应,被认为是最简单有效的改性方法之一。本论文采用不同的制备
学位
压电纳米发电机(PENGs)能将机械能转换成电能,从环境和人体活动中采集机械能可以满足基于低功耗电子设备的能源需求。然而,当前大多数的PENGs是基于不可降解和非生物相容的材料,不满足下一代微电子设备可生物降解、可生物兼容、环保等的发展需求。本文利用苯丙氨酸二肽(FF)生长垂直、单向极化的大规模阵列,并制备完全可降解的压电纳米发电机,然后对制备的器件进行了开路电压,短路电流,功率和稳定性测试,最后
学位