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声表面波器件(SAW)因具有小型化、平面结构、设计简单等特点,在社会的各个领域得到了广泛的应用。随着SAW产品的大规模普及,声表面波器件的频带在较低段已经达到饱和,这严重制约了SAW产品的发展。因此,除了微型化和低插入损耗外,向高频发展成了SAW器件一个不可逃避的实现。LiNbO_3作为一种较早被发现的具有良好压电性能的压电材料,一直倍受研究者的青睐,加之金刚石的高声速特性,给SAW器件带来更好的发展前景。本文探讨了SAW用金刚石多晶薄膜的制备,高度C轴取向LiNbO_3压电层的制备,在总结