目的：铟（indium,In）是一种稀散金属，在信息﹑宇航﹑能源﹑军事工业及医药卫生领域均有着很广泛的应用。随着铟及其化合物的使用增多，接触人群也在不断扩大。通过各种途径接触吸收的铟通过血液转运到软组织及骨骼，并随尿及粪便排出体外。本研究旨在了解硫酸铟的细胞毒性﹑DNA损伤及细胞毒性机制，试图探讨硫酸铟可能的细胞损伤机制，为提出有效保护职业暴露人群健康的措施提供基础依据。方法：(1)以小鼠成纤维细胞（L929）作为实验系统，采用四甲基偶氮唑盐法（MTT比色法）检测不同浓度硫酸铟对L929细胞作用不同时间段后，细胞存活率的变化，了解浓度-时间-毒性效应的关系；（2）采用单细胞凝胶电泳实验（SCGE彗星实验）研究不同浓度硫酸铟对L929细胞DNA单链断裂损伤的程度；（3）采用免疫荧光技术研究不同浓度硫酸铟对L929细胞DNA双链断裂损伤的程度；（4）用流式细胞技术DCFH-DA法检测不同浓度硫酸铟处理L929细胞后活性氧（ROS）含量的变化；（5）流式细胞术用JC-1检测不同浓度硫酸铟作用下对L929细胞线粒体膜电位的改变。结果：（1）MTT法显示，在24h及48h处理过程中，当硫酸铟终浓度1mmol/L及以上，各染毒组吸光度值与阴性对照组相比较具有统计学差异（P <0.05）。随染毒浓度增加，细胞存活率也呈浓度依赖性降低。（2）单细胞凝胶电泳结果显示，在1～4mmol/L硫酸铟作用2h及12h后，彗星细胞拖尾率随着浓度的增加而增加，且有统计学意义（P <0.05）。其他分析指标彗星尾长、Olive尾矩和彗尾DAN含量也明显高于阴性对照组(P <0.05)。（3）免疫荧光实验显示：在1～6mmol/L硫酸铟作用2h后，细胞核内γH2AX荧光强度明显增强，焦点数增加，与阴性对照组比较差异具有统计学意义（P <0.05）。（4）流式细胞仪检测结果显示，随硫酸铟染毒浓度升高，活性氧（ROS）含量相应升高并呈现线性相关关系。（5）经流式细胞仪检测，在硫酸铟染毒12h条件下，随染毒浓度增加线粒体膜电位水平降低，且差异具有统计学意义(P <0.05)。结论：（1）在体外培养的条件下，硫酸铟能明显抑制L929细胞的增殖。在各个染毒时间段内细胞存活率随染毒浓度增加而降低，并呈浓度依赖关系。（2）1mmol/L硫酸铟染毒2h可引起细胞DNA单链断裂。（3）在2h染毒条件下硫酸铟可引起细胞DNA双链断裂。（4）硫酸铟可引起L929细胞内活性氧含量增加。（5）硫酸铟可引起L929细胞线粒体膜电位降低。本次研究结果显示，硫酸铟可引起体外培养的L929细胞活性氧含量增加，造成DNA损伤，同时引起膜电位降低，影响线粒体稳定性。