磁控溅射技术是目前先进的镀膜技术,本文在分析磁控溅射工艺背景的基础之上根据靶极电源的指标要求,确定倍流整流方式ZVS PWM直流变换器作为其靶极电源的主电路并针对电源输出电压高的难点,通过引入三电平直流变换器(半桥)拓扑,进行了参数设计并进行仿真,取得较理想的效果。根据靶极电源的频率与功率要求,选择功率MOSFET作为磁控溅射靶极电源主功率开关器件,论文介绍了功率MOSFET的驱动特点及驱动参数计算,根据实际情况设计了MOSFET驱动电路。针对MOSFET电流扩容要求,从理论上分析了影响MOSFET并联动静态不均流的各种因素,提出了相应的解决措施,并进行了仿真分析。针对MOSFET工作过程中出现的电压、电流尖峰和大的开关损耗问题,本文首先从理论上分析了MOSFET逆变桥缓冲电路的工作原理,推导出缓冲电路各元件的参数计算公式,讨论了缓冲电路各元件参数、负载性质以及开关频率等对关断电压波形的影响并进行了仿真分析。