紫外光探测和压电性能研究一直是ZnO一维纳米结构在光、电领域研究的重点课题。本文以基于线状金属丝衬底的pn结为出发点，分别进行了基于线状Ni丝上的p-NiO/n-ZnO纳米线异质结的制备、形貌分析、光电性能和压电性能测试和研究等工作。其主要结果如下：（1）利用简单快捷的化学气相沉积法在镀金的Ni/NiO丝上成功制备了长约5μm，直径在30nm左右的ZnO纳米线；在-5V-5V范围内，Pt丝和ZnO的接触为欧姆接触，不会对本实验所测结果的分析造成影响。ZnO纳米线的吸收曲线表明用365nm的紫外光照射器件会得到较强的光电响应，最后分析了ZnO纳米线的生长机理。（2）该结构的PL谱在380nm附近有较强的近带边发射（NBE）峰，而在520nm附近的深能级（DLE）峰的强度则可忽略不计，其结果表明该ZnO纳米线有着比较高的结晶度和较少的缺陷。对p-NiO/n-ZnO纳米线异质结的紫外探测性能研究表明，在1V偏压下，该器件对高压汞灯发射的365nm紫外光有明显的光电相应，相应时间和恢复时间分别为7.5s和8.6s。改变偏压大小以及转动该线状结构的角度后，其紫外光相应特性依旧保持稳定，表明该器件能够进行3D光探测。（3）通过自制探测台对该器件的压电性能进行了研究，结果表明随着压缩形变的增加光响应电流的强度也随之提高，并从能带变化的角度出发对光电流增强的现象进行了解释。