该论文的主要工作设计并研制了高功率、宽光谱1.55μm量子阱InGaAsP/InP集成超辐射光源.为了克服传统超辐射发光器件输出功率低的缺点,该论文将超辐射发光管和半导体光放大器通过直接耦合的方式单片集成,并对该集成器件进行结构优化设计.针对倾斜型器件解理腔面间的振荡激射问题,采用了三种解决方案,都成功地抑制了振荡射的发生,从而有效地提高了超辐射输出功率.在相对较低的电流注入下最高脉冲输出功率达到300mW以上,这一结果是目前在同样电流注入下已知国内外报导的最好水平.采用行波速率方程对集成超辐射器件的增益、光子密度、以及输出功率等参量进行了理论分析,对该种器件的设计与研制起到了一定的指导作用.另外,我们还针对如何提高超辐射器件的光谱宽度进行了研究.在国内首次设计并制作了非均匀阱宽多量子阱1.55μm集成超辐射光源,使其光谱宽度较普通量子阱材料提高近一倍,达到-60nm,最大脉冲峰值输出功率达到200mW以上.这一结果是目前国内包报导的同样谱宽1.55μm超辐射器件的最好水平.