CuIn_(1-x)A1_xSe_2薄膜及光电器件的制备和性质的研究

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铜基系Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ族多晶黄铜矿化合物在光电器件领域具有广阔的应用前景,不仅可以应用于薄膜太阳能电池,还可以用于制备光电探测器。为降低成本和提高CuInSe2(CIS)薄膜的光学禁带宽度,需要通过对CIS薄膜进行同族或相近元素的掺杂。目前,常用的方法是使用同族元素Ga取代 In掺杂制备得到CuIn1-xGaxSe2(CIGS)薄膜。然而,In元素和Ga元素属于稀有贵金属,如何降低成本,制备出高性能的光电器件一直是国内外人们研究的热点。本论文从降低成本,调节CIS薄膜能带带隙的角度出发,使用同族元素Al部
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