SOI(Silicon On Insulator) CMOS技术以其功耗低、结电容小、速度高、工艺简单，并消除了体硅CMOS器件的闩锁效应等优点，逐渐成为CMOS主流技术之一。然而，SOI器件由于具有埋氧层结构，存在浮体效应和自热效应，这使得其可靠性问题如热载流子注入效应（(Hot Carrier Injection，HCI)和负偏压温度不稳定性效应(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)比体硅器件更为复杂。尤其是在器件尺寸缩小至深亚微米阶段，栅氧化层减薄，NBTI效应成为SOI器件可靠性中的不可忽略的因素，甚至出现HCI效应与NBTI效应之间的耦合现象。另外，随着空间技术的发展，越来越多的电子元器件应用在航空航天领域，使得器件在辐射环境中的可靠性问题逐渐得到重视。因此，本文主要围绕SOI器件的NBTI效应及辐射环境中的热载流子效应进行了初步研究。　　首先，本文对0.18μm PD(Partially Depleted) SOI PMOS器件中的NBTI效应及其恢复现象进行了实验研究。结果表明，NBTI应力下，PDSOI浮体器件比体接触器件退化严重。针对SOI器件NBTI效应存在的恢复现象，本文研究了应力电压及应力温度与器件退化恢复比例的关系。结果表明，不同应力电压下，器件阈值电压的恢复比例相近;应力温度越高，器件阈值电压恢复比例越小。同时，针对HCI应力偏置下SOI PMOS器件出现HCI效应和NBTI效应的耦合效应，本文提出了一种分离两种效应对阈值电压漂移量的影响的方法。　　针对总剂量辐射环境下SOI器件的热载流子效应进行了初步的研究。首先，本文对PDSOI器件的HCI效应进行了研究。结果表明，对于PDSOI NMOS器件，浮体器件比体接触器件退化严重;对于PDSOI PMOS器件，则与之相反。其次，本文对总剂量辐射环境下浮体PDSOINMOS器件的HCI效应进行了研究。研究表明，总剂量辐射效应及HCI效应的共同作用下器件特性退化比单独总剂量辐射效应及单独HCI效应退化更严重。　　最后，针对单粒子辐射环境下SOI器件的热载流子效应进行了初步的探索。研究表明，重离子辐照后浮体PDSOI器件比体接触PDSOI器件退化严重。另外，重离子辐照与HCI效应共同作用下器件退化更加严重，并且，单粒子辐射环境下HCI效应导致的SOI器件阈值电压漂移比体硅器件大，并对机理进行了初步的分析。