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类石墨氮化碳(g-C_3N_4)作为一种可对可见光响应的非金属半导体,因其具有适中的禁带宽度(2.7eV)、高稳定性、廉价易得等优势,已被广泛应用于光催化领域,如光解水制氢、光催化降解有机污染物以及光催化还原二氧化碳等。但采用传统的高温热聚合法制备的g-C_3N_4材料,存在比表面积小、光生电子空穴复合快、量子效率低等缺陷,制约了其在能源及环境领域的实际应用。为了提高g-C_3N_4的光催化活性,我们从增强光生电子-空穴对分离及拓宽其光响应范围两方面入手,设计并合成了两种g-C_3N_4基的复合光催