ITO(Tin-dopedIndiumOxide)和ATO(Antimony-dopedTinOxide)膜由于其低电阻率、高可见光透射率、与玻璃基体结合牢固、抗擦伤、良好的化学稳定性等优点，广泛应用于薄膜电阻、透明电极、电热转换薄膜、热反射镜、太阳能电池、气敏传感器、隐身材料等领域。但是传统的物理方法和化学气相沉积法制得的ITO或ATO材料具有成本高，设备复杂，反应条件和产品形貌难以控制等缺点，而近年来研究的较多的湿化学方法，如水热法和化学共沉淀法就可以克服这些不足。 论文研究了水热法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)掺杂量、共沉淀温度、体系pH值、水热时间温度、表面活性剂对ATO粉体形貌和电性能的影响；利用共沉淀和水热结合煅烧的方法制备锡掺杂氧化铟(ITO)粉体相貌和结晶的差异，根据晶体学的原理研究了同质异构现象产生的原因；利用共沉淀法制备ITO掺杂量、共沉淀温度、终点pH值、煅烧温度和时间对其形貌和电性能的影响。通过研究晶体的生长机理，根据掺杂形成半导体的导电模型，探索了湿化学法制备新型功能材料ATO、ITO的最佳工艺条件。 用水热法制备纳米级ATO粉体，用DTA、XRD、粒度分析和TEM分析产品的结晶性能和微观结构。不同掺杂量在不同条件下制得的ATO粉体均符合SnO2的四方金红石结构，粒径均在10nm左右，掺入Sb后XRD衍射峰的位置向小角度有所偏移，导致晶格和晶胞体积的增大，并且由于粉体粒度较细，引起了衍射峰的宽化。利用自制的设备对粉体的电性能进行了检测，随着掺杂量的增大，粉体的电阻呈现先减小后增大的趋势；随着共沉淀温度的升高，粉体电阻先增大后减小；体系pH≈6时，得到的粉体电阻最小；在200℃下保温6h可得到结晶性能和电性能俱佳的纳米级ATO粉体；添加表面活性剂可改善粉体的分散性，但对其电性能影响不大。本文从水热机理、表面活性剂作用机理和p型半导体能带理论出发，解释了上述现象。 用水热法与煅烧结合的方法，制得纳米级六方ITO粉体，而利用共沉淀法，得到纳米级立方ITO粉体。说明在水热过程中形成了结晶性能良好的氢氧化物前驱体，导致煅烧过程中晶体生长面族的不同，最终产生同质异构现象，这些现象可以利用配位场理论和晶核形成机理得到很好的解释。 用共沉淀法制备ITO纳米级粉体，用DTA、XRD和TEM分析产品的结晶性能和微观结构。不同掺杂量在不同条件下制得的ITO粉体均符合In2O3的立方结构，粒径均在40nm左右，掺入Sn后引起晶格畸变，XRD衍射峰向小角度偏移，导致晶格和晶胞体积的增大，并且由于粉体粒度较细，引起了衍射峰的宽化。利用自制的设备对粉体的电性能进行了检测，随着掺杂量的增大，粉体的电阻呈现先减小后增大的趋势；随着共沉淀温度的升高，粉体电阻先增大后减小；共沉淀温度在60℃左右，终点pH≈6时，得到的粉体电阻最小；在700℃下煅烧4h可得到结晶性能和电性能俱佳的纳米级ITO粉体。本文从晶体生长机理、n型半导体能带理论，迁移率，载流子浓度和接触电阻等因素出发，解释了上述现象。