有源相控阵雷达在通信、军事、等方面应用越来越广泛且不断成熟。随着半导体工艺的不断发展，有源相控阵雷达向单片方向发展。对把多个功能电路集成在一个芯片上的研究越来越热。本项目主要是对应用于相阵控雷达的四通道相控阵收发的单片雷达SOC芯片的研究，本人从事的主要是对收发组件（T/R组件）接受通道中低噪声放大器（LNA）的研究和设计。LNA作为接受通道的第一级，其增益和噪声很大程度上决定了整个T/R组件的噪声性能，是T/R组件中的关键模块。现代相控阵雷达的噪声突出了很高的要求，基于以上背景，如何设计高增益低噪声的LNA成为本课题的关键。本论文中，介绍了相控阵雷达的优势以及国内外研究现状，T/R组件在相控阵雷达中的作用及其主要原理；分析了低噪声放大器的各个性能指标；分析了常用低噪声放大器的结构并对各结构的性能指标进行了分析；分析了宽带低噪声放大器使用的几种常用技术。最后根据项目需要，在TSMC0.35RF SiGe工艺上，采用cascode结构完成了3GHz窄带低噪声放大器的设计，采用电流复用技术在3.1¹0.6GHz超宽带上实现了低噪声放大器的设计。窄带低噪声放大器采用2V电压供电，第一级的偏置电流为3.6mA,第二级偏置电流为2.7mA。仿真结果显示：S₁₁在3GHz小于-22dB，S₂₂小于-10dB，噪声系数在2.5dB以下，增益大于40dB。超宽带低噪声放大器采用2.5V电源供电，仿真结果显示：S₁₁小于-9dB, S22小于-10dB,增益S21大于15dB，且增益曲线具有良好的平坦度，最小噪声系数为2.3dB，最大噪声系数为3.55dB。达到预期目的，并完成了版图设计。