随着科技的高速发展，引进了低温等离子体技术的微电子行业，近几年得以迅速崛起，高科技产业也得以迅速发展。为了使低温等离子体技术在工业上得到更好的应用，大面积、均匀性好、高密度的等离子体为其所需。射频感应耦合等离子体因其具备均匀性好、密度高等优点被广泛地应用于工业。在此，我们针对射频感应耦合等离子体放电展开了相关研究。近些年，有关射频感应耦合等离子体的模式转换以及回滞现象的研究成为了研究热点。但是，有关其在低气压下的反常回滞现象随气压变化情况的研究甚少，并且有关其在反常回滞过渡区不同放电模式下的等离子体参数空间分布情况的实验研究也少人问津。　　本文采用发射光谱诊断装置和单探针诊断装置对射频感应耦合等离子体参数进行了一定的实验研究。控制工作气压为0.6Pa，往返调节射频功率，采用发射光谱诊断装置测量射频感应耦合等离子体的发射光谱强度随功率的变化情况，出现了反常回滞现象;在较低气压0.25Pa到0.6Pa内，对射频感应耦合等离子体的反常回滞现象随气压的变化情况展开了系统研究;控制工作气压为0.6Pa，采用单探针诊断装置测量射频感应耦合等离子体的等离子体密度、电子温度、等离子体悬浮电位和等离子体电势在反常回过渡区同一功率208W下分别处于不同放电模式下的空间分布情况。　　通过实验测量表明:在低气压下，射频感应耦合等离子体的发射光谱强度随功率的变化情况，出现了反常回滞现象。气压处于0.25Pa到0.36Pa区间范围内，射频感应耦合等离子体放电出现反常回滞现象，并且其回滞宽度随气压的升高而减小;气压处于0.36Pa到0.42Pa区间范围内，射频感应耦合等离子体发射光谱强度随功率来回变化的轨迹重合，并没有出现反常回滞现象;气压处于0.42Pa到0.6Pa区间范围内，射频感应耦合等离子体放电再次出现反常回滞现象，并且其回滞宽度随气压的升高而增大。射频感应耦合等离子体放电模式从E模式跳变到H模式的跳变功率以及从H模式跳变到E模式的跳变功率均随气压的升高先减小后增大，在气压为0.39Pa时，两者的跳变功率均最小。在整个过程中，从E模式跳变到H模式的跳变功率较从H模式跳变到E模式的跳变功率更低。类似地，从E模式跳变到H模式的跳变气压与从H模式跳变到E模式的跳变气压则均随功率的升高而减小，并且从E到H的跳变气压较H到E的跳变气压更小。采用静电探针测量射频感应耦合等离子体参数在反常回滞过渡区的空间分布情况。整体上来说，等离子体密度、电子温度、等离子体悬浮电位和等离子体电势无论是处于E模式还是H模式，其数值大小相差不大，但是等离子体参数在H模式下的空间分布较E模式更均匀。