【摘 要】
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溶液法制备薄膜晶体管(TFTs)具有成本低廉工艺简单,组分比例可控,便于大批量生产等特点,特别适用于新材料的探究和最佳工艺条件的确定,在透明显示器件制备和逻辑门器件构筑中起着举足轻重的作用。近年来,薄膜晶体管的制备工艺和电学性能得到突飞猛进的发展,以铟镓锌氧(IGZO)为代表的TFTs已经实现了产业化。但是铟作为稀缺元素的使用限制了器件成本的降低和更广泛的应用,因此开发非铟TFTs有迫切的市场需求
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溶液法制备薄膜晶体管(TFTs)具有成本低廉工艺简单,组分比例可控,便于大批量生产等特点,特别适用于新材料的探究和最佳工艺条件的确定,在透明显示器件制备和逻辑门器件构筑中起着举足轻重的作用。近年来,薄膜晶体管的制备工艺和电学性能得到突飞猛进的发展,以铟镓锌氧(IGZO)为代表的TFTs已经实现了产业化。但是铟作为稀缺元素的使用限制了器件成本的降低和更广泛的应用,因此开发非铟TFTs有迫切的市场需求和战略意义。本文深入探究了新型金属氧化物在介电层中的应用,研究了器件的时效稳定性,光照稳定性,偏压界面稳
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