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作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,ZnO较GaN有着更大的激子结合能(60meV),使其在室温下即可有较高的光发射效率,是制作紫外光发射器件的理想材料。自从ZnO的室温光泵浦紫外受激发射被发现以后,ZnO在紫外发光二极管(LED)和激光器(LD)领域显示出巨大的应用潜力。本论文在了解ZnO材料研究现状和应用前景的基础上,并结合所在研究小组的工作条件,利用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition, PLD)法在没有催化剂和缓冲层的情况下,直接在Si衬底上成功制备得到了Zn