随着应用于电力电子领域能量变换装置中功率芯片的使用温度不断提高,如何确保芯片在高温下稳定可靠地运行是一个十分重要的研究课题。纳米银浆作为一种新型电子封装材料,具有烧结温度低、导电导热性能良好和使用温度高等优点,受到了研究人员和使用者的广泛关注。但目前已有的导电银浆存在烧结温度相对于传统钎料仍然较高（>250oC）且互连强度和致密度均较低等问题。本论文研究以降低纳米银浆的烧结温度和提高其烧结互连接头的强度为主要目标。通过添加纳米锡颗粒对纳米银浆进行改性,以提高纳米银浆的性能。首先,通过化学还原法在水相中制备了纳米银与纳米锡颗粒,并对制备工艺进行了优化。随后,对制备得到的纳米锡改性的纳米银浆（NSP-TNP）在不同烧结条件下的烧结行为进行了分析与研究。最后,对纳米银浆互连接头的烧结工艺参数进行了优化,实现在低温下进行无压烧结获得高剪切强度互连接头的目标。研究结果表明,通过对聚乙烯吡咯烷酮（PVP）水解处理后得到的PVP-PVSA嵌段共聚物作为包覆剂制备的纳米锡颗粒具有较强的抗氧化能力,可以实现通过化学还原法在水相中合成无氧化且能够稳定储存的纳米锡颗粒。通过对包覆剂和还原剂的浓度进行优化,制备得到了平均粒径为23 nm、熔点为200oC的纳米锡颗粒。当纳米锡的添加量低于5 wt.%时,通过柠檬酸钠絮凝混合的方式制备得到的NSP-TNP烧结后的相组成为Ag-Sn固溶体,不含有脆性的Ag₃Sn相。此外,由于纳米锡和纳米银絮凝形成的聚集体致密的结构和纳米锡在烧结过程中的熔化行为使得烧结体具有更致密的结构。这种致密化的现象和纳米锡的固溶强化效应使得烧结体的维氏硬度明显增加。另外,还制备了NSP-TNP的互连接头,并从纳米锡添加量、基板粗糙度、烧结温度和保温时间等方面对烧结工艺进行优化,在206oC下保温30 min工艺条件下获得了剪切强度达到34.9 MPa的互连接头。