一维相变纳米材料为在纳米尺度研究相变过程和材料热性能提供了一个良好的科学平台,同时也是下一代高存储密度相变存储器的关键材料。一维相变纳米线在相变存储器上的应用正在被广泛的研究,In₂Se₃纳米线作为一种重要的非易失性存储材料,它有着很高的电阻率,10⁵的电阻转变率,在数据存储上,可以有比GeTe和Ge₂Sb₂Te₅纳米线更低的能耗,此外它有用作在太阳能电池,光传感器和锂离子电池方面的巨大潜力。文中描述了通过热气相沉积法制备α-和κ- In₂Se₃纳米线的合成过程,并通过原位同步辐射XRD研究了In₂Se₃纳米线在热退火过程中的晶体结构变化。数据结果显示κ- In₂Se₃纳米线在500℃转变为α相,在更高的温度700℃下转变为5-5层状的高温α相,并且这种转变在温度降低时是不可逆的。并基于密度泛函理论,利用Materials Studio软件,模拟了不同原子堆积的In₂Se₃模型结构及衍射数据,其结果与同步辐射衍射数据结果一致。此外,研究还发现,退火前后的纳米线的电阻率变化很大。本文还研究了In₂Se₃纳米线的光敏特性,发现In₂Se₃纳米线对不同强度的光和波长都有识别能力,而这种识别能力和温度,测量电压存在一定的关系。