目前，中子管已经在很多领域应用广泛。当前已有的中子管技术指标并不能完全符合时代需求的增长。因此加快中子管研发技术的发展显得非常重要。中子管的主要部分有离子源，加速器，气压调节系统和靶。加速器部分决定离子束能否均匀连续的打到靶上。本文研究的目的是得到中子管单极加速器的电场分布以及离子束被加速后的的轨迹。加速电极尺寸比较小，电压很大，其电场分布很难通过实验的办法测试，离子束轨迹也不方便通过实验的办法测试。本文应用有数值分析方法限元方法来对电场分布和离子束轨迹进行仿真计算。有限元算法已有很成熟的科研应用，美国ANSYS公司的软件集成了大量成熟可靠的有限元算法。本文即采用ANSYS10对电场分布和离子束轨迹进行有限元仿真。得到的结果清晰的显示了不同尺寸下加速电极的电场分布，同时也很清晰的展现不同电极不同电压下，离子束轨迹的变化情况。大量的仿真结果表明，单电极电场分布有以下特点:1.电场在两极边缘最强。2.电场在两极附近最强中间相对较弱，空间电场分布呈现“强—弱—强”的分布。3.电场在两极的小孔附近会有电场溢出，但强度比较小。离子束轨迹的特征如下：1.加速间隙对离子轨迹影响很明显。2.加速电压对离子轨迹无影响。3.电极形状对离子轨迹的影响很大。4.氘离子和氚离子轨迹形状相同。这些结论与理论计算值即实际结果相吻合。