钙钛矿结构的掺杂锰氧化物具有复杂而新奇的物理性质,近年来引起了众多学者的关注和研究。然而以前的研究工作大多集中在A位掺杂上,对于A位半掺杂的B位（Mn位）掺杂研究尚少。Mn位掺杂可以破坏Mn4+和Mn3+的电荷有序。特别是低温下,Mn位掺杂强烈地影响着样品的性质。这些对基础研究都有着非常重要的意义,并具有潜在的应用前景。为此,我们合成了掺杂型锰氧化物Pro5Cao sMnl-χAlx03系列样品。Al作为非磁性离子,可以对抗Mn3+引起的Jahn-Teller晶格畸变,从而使得结构更为对称。进而,铁磁团簇可以在缺乏磁相互作用的情况下产生。本文对Pro.5Cao5Mn1-χ,AlχO3系列样品的晶体结构以及电磁输运特性进行了较为系统的研究。所得到的Pro sCao5Mn1-χA1,03系列样品均为正交的钙钛矿结构。样品最高合成温度达1300℃,表现出明显的反铁磁性,在Pr0.5Ca0.5Mn1-ΧAlχ03系列样品中,还未报道过此类奇特的磁现象。在零场和有场冷却条件下测得的磁化强度在冻结温度Tf以下并不重合。在低温下,铁磁性成分会随机性地分布在反铁磁基底上,相互竞争造成了铁磁团簇和反铁磁团簇的形成,宏观上的表现是有场冷却和零场冷却的磁化强度曲线在冻结温度处分叉。TCO随Al含量的增加而下降,同时,TCO处的磁化强度随Al含量的增加而增大。2K下的磁滞回线表现出明显的磁滞现象,第一分支出现两个台阶,在9T的外加场下仍然没有达到饱和。这是铁磁成分和反铁磁成分相叠加的结果,具有明显的团簇玻璃态。在台阶处的变化可以归结为,样品中的电荷轨道有序反铁磁相转变成了铁磁相。交流磁化率的自旋冻结温度随着频率的增大而向高温移动,是频率的函数。随着A1掺杂量的增加,交流磁化率实部的值呈增加趋势,这一行为同直流场下磁化强度随Al掺杂量的变化规律类似。样品x=0,0.01,0.02的基态是团簇玻璃。样品x=0.05,0.07在Tf处的峰随频率的增加而下降,这是电荷有序反铁磁体系中产生铁磁团簇的相分离态。样品x=0.03,0.04的基态是团簇玻璃基态向相分离基态转变的转变态。其中,样品x=0.02的基态是团簇玻璃,样品x=0.05的基态是相分离态。Pro5Cao5Mn1-.,.AI,-03系列样品的电阻率在零场和5T外磁场、2K到300K的测试温区测量,都表现出半导体行为。低温下,样品的磁电阻效应非常明显。总的来看,对不同Al掺杂量的样品而言,掺杂A13+离子使得磁电阻数值增大。引起这种现象的原因是A13+离子的掺入加上外加磁场的影响使得铁磁团簇增加,进而使得电阻率下降。