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非晶硅薄膜在近红外波段具有低吸收率、高热光系数、制作成本低且易于集成等优点,使其能够在半导体领域的光电器件中广泛应用。在基于非晶硅热光效应设计的器件中,材料的热光系数是影响其光学性能的关键因素。表征热光系数的禁带宽度、极化率等参数会因为材料微结构的变化而发生改变。而薄膜中氢含量及氢的键合方式是影响薄膜的微结构的主要因素。因此本文从仿真和工艺两方面研究了薄膜中氢含量的变化对热光效应的影响。首先,通过对非晶硅结构和热光效应基本物理原理的理论分析,总结出非晶硅薄膜中氢含量的变化会影响其热光效应。基于非晶硅