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PDP(Plasma Display Panel:等离子体显示平板)作为新一代显示技术,以其响应速度快,宽屏显示及图像分辨率高等优点,成为显示技术领域发展的重要方向。PDP行扫描驱动芯片是PDP整机系统成本的重要组成部分,其包括低压逻辑部分和高压部分,随着工艺特征线宽的减小,低压逻辑部分所占芯片面积逐渐减小,而高压功率部分由于高电压、大电流,占据了绝大部分的芯片面积,作为设计难点PDP驱动芯片高压部分主要包括高压电平位移电路和功率输出级。本文主要工作是设计应用于PDP行扫描驱动IC的SOI高压功率器件,SOI高压功率器件包括高压电平位移电路中的高压NLDMOS(N-channel Lateral Double-diffused MOSFET)、高压PLDMOS(P-channel Lateral Double-diffused MOSFET)和输出级的高压LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor)。本次芯片设计采用的厚膜SOI材料的顶层硅厚度为12μm,埋氧层厚度为1μm,高压单元之间和高低压单元之间采用深槽介质隔离,相比与传统的PN结隔离技术,使得芯片面积减小了70%。随着PDP大尺寸显示屏技术的发展,其等效的电容增大,所以对驱动芯片输出端的电流能力有更高的要求。本文首先对SOI高压器件的击穿特性进行理论说明,包括导通状态和关断状态下的击穿情况,在此基础上利用仿真软件Medici仿真器件结构参数变化对阈值电压和击穿电压的影响,器件结构参数主要包括:器件漂移区掺杂浓度,沟道区掺杂浓度以及场板长度等,通过对结果的分析得到符合器件电学特性设计要求的结构参数。在器件仿真基础上设计完整的工艺流程并对关键工艺步骤进行分析,采用工艺仿真软件Tsuprem4和器件仿真软件Medici对器件进行工艺器件联合仿真,仿真工艺参数对器件电学特性的影响,确定最终的工艺流程菜单,并完成芯片版图的绘制。第一次流片已经完成,经测试高压器件击穿电压都达到了200V以上,输出端LIGBT的电流能力达到了4×10-4A/μm以上,关断时间小于10-7s,满足PDP行扫描驱动电路对高压器件的要求,并成功实现对PDP屏驱动。