由于近年来通信与自动化产业的发展也在不断地拉动对功率器件的需求,并且随着半导体制造技术的不断开发,功率器件的生产成本,性能与尺寸都有了极大改善,其应用领域十分宽广。槽栅DMOS器件相比传统平面型器件拥有更低的导通电阻,但是制造工艺却是更加复杂,我国在此领域的自主设计能力相较国外大公司还较弱。本文研究设计了一种浅槽栅DMOS器件具有更低导通电阻以及更宽的安全工作区,因而拥有一定的应用价值。本文内容如下:首先介绍了浅沟槽栅DMOS器件的主要电学参数并给出对应的物理模型,为后续的设计过程提供理论依据。并对现有的DMOS元胞结构进行分析整理,对比其各自优劣。在分析的基础上初步确定-35V耐压P沟道浅槽DMOS的元胞结构,形状,重要参数的取值区间,并结合现有生产条件设计工艺流程,并在此基础上通过仿真软件MEDICI进行仿真优化以得到符合要求的元胞参数。在仿真结果的基础上,进行不同的版图绘制,并通过不同的分片条件流片进行对比,最终流片结果显示所设计浅槽DMOS满足要求,获得反向耐压-38V,阈值电压-2.8V,导通电阻为0.56?的P沟道浅槽DMOS。