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随着科学技术的飞速发展、显示技术的不断进步,有机电致发光器件(Organic light emitting diode,OLED)显示技术也得到了很快的发展,由于它具有自发光、大视角、低功耗、响应快、可弯曲等优点被认为是最具有发展前景的新一代显示技术。但OLED的结构复杂、制备成本高成为了制约其商业化的难题。因此,为了简化器件制备过程,降低生产成本,简化器件结构,研制高效的单层OLED对于OLED器件的商业化生产具有重要的实际应用价值。本文主要研究了阳极界面修饰对简单结构OLED器件性能的影响。具体工作如下:1、基于ITO/HIL/TPBi:Ir(ppy)3/Li F/Al(HIL=V2O5、MoO3、PEDOT:PSS)的器件结构,探讨了V2O5、MoO3、PEDOT:PSS分别作为空穴注入层修饰阳极对器件性能的影响。通过对比发现三者的空穴注入能力V2O5>MoO3>PEDOT:PSS,但PEDOT:PSS作为阳极修饰层器件的性能最好,最大电流效率41.25 cd/A,最大功率效率30.79 lm/W。说明在简单结构OLED器件中,空穴注入层在修饰阳极降低电极与有机层之间的空穴注入势垒的同时,还要改善发光层中的载流子注入平衡。2、研究了Cl-ITO对简单结构OLED器件性能的影响。使用不同的氯化溶剂(氯仿、二氯苯、氯苯)UV处理ITO阳极。由于三种溶剂分子组成和分子结构不同,研究三种材料与UV处理时间的关系。在三种氯化溶剂中,基于二氯苯处理的ITO的器件性能最好,最佳处理时间为5 min,最大电流效率33.48 cd/A,最大功率效率27.51 lm/W。3、研究了MoO3和C60混合做空穴缓冲层对简单结构器件性能的影响。将对空穴具有阻挡作用的C60和MoO3按一定比例混合做空穴缓冲层以起到钝化空穴注入的作用。结果发现随着混合空穴缓冲层中C60比例的增加,器件电流密度降低。当MoO3和C60混合比例为1:3、空穴缓冲层厚度为1.6 nm时,器件性能最佳,最大电流效率为35.52 cd/A,最大功率效率为31.87 lm/W,优于纯MoO3做HIL层的器件。