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以Cd类化合物为代表的半导体纳米晶(CdSe、CdS、CdTe)作为荧光标记物在生物领域的应用已经进行了大量的研究，但其生物毒性一直是人们所担心的问题。因此，开发新的低毒量子点用于生物标记成为人们感兴趣的课题。而掺杂ZnSe纳米晶不仅能保留Cd类量子点优异的发光性能，而且生物毒性大大降低，同时光稳定性远远优于Cd类化合物的量子点。和有机相合成路线相比，水相合成方法重复性好、廉价、低毒，而且合成的纳米晶具有很好的稳定性和生物相容性。
本文以文献尚未见报道的掺杂Pt的ZnSe半导体纳米晶为研究重点。在合成方法上，除了采用水热法，同时采用传统水相法来合成掺杂ZnSe纳米晶。并对这两种方法制备的水溶性Pt:ZnSe(S)合金纳米晶的光学性质进行系统研究。主要内容归纳如下：首先，采用水热法在水溶液中合成了高质量的掺杂Pt的ZnSe(S)合金纳米晶。用巯基丙酸作为稳定剂，在聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中合成稳定的水溶性纳米晶。利用这种水热法技术可以将反应温度提高到180℃，这样不仅加快了反应速度，而且使得合成的纳米晶的荧光量子产率和尺寸分布得到显著改善。本研究系统地考察了表面活性剂的量、反应溶液的pH值、前驱体的比例、掺杂Pt的量以及反应时间等一系列因素对合成的纳米晶发光性能的影响。研究发现，掺杂Pt的ZnSe(S)合金纳米晶比未掺杂的ZnSe(S)合金纳米晶荧光量子产率提高了20％：在最优化的实验条件下，合成的水溶性Pt:ZnSe(S)合金纳米晶的荧光量子产率可达24.3%（以硫酸奎宁为参比）。利用这种方法合成的水溶性纳米晶具有荧光强度大、光化学稳定性好等优点，使其成为潜在的荧光标记物。其次，采用传统的巯基水相法制备了水溶性的Pt:ZnSe(S)合金纳米晶。在反应烧瓶中96℃下，通过延长回流时间得到了荧光不断增强的纳米晶，反应11h时掺杂纳米晶荧光量子产率达到4.7%。本文目标产物的光学特性和结构用紫外吸收光谱、荧光光谱、XRD粉末衍射、透射电镜(TEM)和能量色散型X射线荧光光谱(EDX)等进行表征。