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在MEMS工艺中,薄膜沉积是一种非常重要的技术。其中PECVD沉积由于其突出的优势得到了广泛的关注和研究。Level Set方法是一种追踪运动界面的数值方法,可以较好地表示界面演化中的拓扑变化。本文在已有相关研究的基础之上,对PECVD沉积的反应机理做了分析阐述,并采用Level Set方法对PECVD的沉积过程进行了模拟仿真,基于MATLAB软件开发了PECVD沉积的Level Set模拟程序,直观地演示了沉积表面的变化过程。主要研究内容如下: 首先,分析了PECVD沉积工艺的基础理论和反应机理;论述了常用的沉积仿真系统模型:SPEEDIE模型、LPCVD模型、PECVD模型;选择了PECVD的沉积速度表达式。 其次,对Level Set方法进行了详细的理论讲述,包括Level Set函数,Level Set方程的构造及其数值求解,Level Set方法应用的一般步骤。 第三,建立了基于Level Set方法的PECVD沉积模型,包括沉积衬底的几何模型,PECVD沉积Level Set方程的构造,沉积速度模型的建立和嵌入Level Set方程的过程。 最后,选用MATLAB作为软件工具,应用Level Set方法对PECVD沉积进行了模拟,得到不同工艺条件、不同沟槽形状下的沉积结果,与实验结果的轮廓相一致,薄膜厚度数据误差较小,证明了Level Set方法在PECVD沉积模拟中的可行性。