在MEMS工艺中，薄膜沉积是一种非常重要的技术。其中PECVD沉积由于其突出的优势得到了广泛的关注和研究。Level Set方法是一种追踪运动界面的数值方法，可以较好地表示界面演化中的拓扑变化。本文在已有相关研究的基础之上，对PECVD沉积的反应机理做了分析阐述，并采用Level Set方法对PECVD的沉积过程进行了模拟仿真，基于MATLAB软件开发了PECVD沉积的Level Set模拟程序，直观地演示了沉积表面的变化过程。主要研究内容如下:　　首先，分析了PECVD沉积工艺的基础理论和反应机理;论述了常用的沉积仿真系统模型:SPEEDIE模型、LPCVD模型、PECVD模型;选择了PECVD的沉积速度表达式。　　其次，对Level Set方法进行了详细的理论讲述，包括Level Set函数，Level Set方程的构造及其数值求解，Level Set方法应用的一般步骤。　　第三，建立了基于Level Set方法的PECVD沉积模型，包括沉积衬底的几何模型，PECVD沉积Level Set方程的构造，沉积速度模型的建立和嵌入Level Set方程的过程。　　最后，选用MATLAB作为软件工具，应用Level Set方法对PECVD沉积进行了模拟，得到不同工艺条件、不同沟槽形状下的沉积结果，与实验结果的轮廓相一致，薄膜厚度数据误差较小，证明了Level Set方法在PECVD沉积模拟中的可行性。