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基于分数阶导数的热致非晶态形状记忆聚合物本构研究
【出 处】
:
南京航空航天大学
【发表日期】
:
2018年01期
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传统硅基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)器件是现代集成电路发展的基础,然而随着MOSFET器件特征尺寸的不断缩小,已经逐渐接近硅材料的物理极限,出现了诸如源漏隧穿效应、迁移率降低等一些制约MOSFET器件性能提高的问题,致使摩尔定律的发展放缓。Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料因其具有较高的电
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