MoS₂纳米材料广泛应用于各个领域。近年来,纳米技术发展迅速,调控MoS₂纳米材料结构形貌的技术已经相对成熟,但通过辐照改变MoS₂纳米材料的结构与性能的研究还很少。本文通过水热反应成功制备了片状MoS₂纳米材料,并通过控制变量法对各项制备参数进行优化,研究所合成MoS₂的不同结构形貌。对所制备的性能良好的MoS₂进行不同剂量（1 kGy、10 kGy、100 kGy、1000 kGy）的γ射线辐照,并对其结构与形貌进行表征,通过光催化降解实验对MoS₂纳米材料在γ射线辐照后的光催化性能进行了研究,通过电导率测量对MoS₂纳米材料在γ射线辐照后的电导率进行了研究。主要研究结果如下:（1）不同制备条件合成的MoS₂纳米材料分别探索了不同的温度、反应物质的摩尔比、反应体系酸度对合成的MoS₂纳米材料的结构形貌的影响。温度足够高时合成的MoS₂为纯相,温度越高,MoS₂的结晶度越好。不同反应物质的摩尔比对MoS₂的形貌影响较大,钼酸铵与硫脲的摩尔比过小会导致MoS₂大面积团聚,摩尔比过大会导致MoS₂纳米花球直径变小,摩尔比1:30为最佳摩尔比。反应体系的酸度过小导致形貌散乱成絮状,或是大面积团聚,pH=7为最佳反应体系酸度。（2）γ射线辐照对MoS₂纳米材料的光催化性能的影响研究了γ射线辐照对MoS₂纳米材料对亚甲基蓝溶液的光催化降解能力的影响,γ射线辐照前MoS₂的光催化吸附效率为93.84%,在不同剂量的γ射线辐照后依次下降到80.22%、69.68%、56.72%和36.32%。结果表明,γ射线辐照后MoS₂纳米材料的光催化降解能力明显下降,这主要是由于γ射线辐照使MoS₂纳米材料的光学带隙增加,抑制了光生载流子的形成,导致MoS₂光催化降解能力下降。（3）γ射线辐照对MoS₂纳米材料的电学性能的影响研究了MoS₂纳米材料在γ射线辐照后的电导率变化,随着温度的升高,MoS₂的电导率单调下降,在250℃以上趋于稳定。当温度低于100℃时,电导率随γ射线辐照剂量的增加先增大后减小;当温度高于100℃时,电导率先减小后增大。25℃时,在10 kGy辐照剂量的γ射线照射下,MoS₂纳米材料的电导率达到最大值511.956 S/m,几乎是未辐照MoS₂材料在该温度下电导率的6.2倍。研究结果表明,MoS₂纳米材料的电导率对γ射线的辐照剂量和使用温度有很强的依赖性。本论文研究了不同剂量的γ射线辐照对MoS₂纳米材料的结构形貌、光电性能的影响规律,为研究辐照对片状MoS₂结构与性能的影响提供了参考。