多层低维半导体系统电子隧穿性质的研究

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该文应用紧束缚的方法首先研究了三元准周期超晶格半导体系统的电子态及电子透射率谱,结果表明:系统中存在着扩展态,临界态,局域态这三种典型的电子态;而三元准周期超晶格半导体系统结构的自相似性决定了系统电子透射率谱具有自相似性;运用同一方法,接着讨论了杂质对三元准周期超晶格半导体系统的电子态及电子透射率谱的影响,结果表明:杂质的位置不同,系统的电子透射率谱不同,而杂质与最近邻格点的交迭积分不同,系统电子的透射率谱也不同,杂质还使原具有局域态性质的电子态,变成了具有临界态性质的电子态;原具有扩展态性质的电子态,则变成了具有局域态性质的电子态,说明了杂质的存在不但影响系统的电子隧穿透射率谱,而且影响系统的电子态.最后,在双势垒,双势阱和三元准周期超晶格半导体系统中讨论了电子与声子的相互作用对系统的电子透射率谱的影响.
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