电沉积制备CuSbSe_2薄膜及其太阳电池器件研究

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IB-VA-VIA2族黄铜矿结构CuSbSe2半导体化合物元素组成含量丰富、无毒且具备优异的光、电学性能而成为最有发展前景的光伏材料。CuSbSe2作为一种我国具有资源优势的薄膜太阳电池新型光吸收层材料,有望替代Cu(In1-xGax)Se2(CIGS),解决CIGS薄膜太阳电池发展中存在资源稀贵短缺的难题。电化学沉积法是一种成本低廉非真空制备技术,有望在未来获得大规模的工业应用。电沉积制备CuSbSe2薄膜需要通过热处理工艺来改善其结晶性能,快速热处理工艺升温速率快、热处理时间短,能有效减少CuS
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