透明导电氧化物(TCO)薄膜具有透明性和导电性，广泛应用在平面显示器、太阳能电池、表面发热器、热辐射反射镜、电磁屏蔽以及辐射防护等领域。掺铟氧化锡(ITO)薄膜属于透明导电氧化物薄膜中的一种。本文在室温条件下制备了ITO薄膜，采用紫外-可见光-红外分光光度计、四探针电阻仪、AFM、XRD、SEM等仪器对薄膜的光电性能和表面形貌进行了测定和分析。　　本文采用直流磁控溅射法室温条件下制备了ITO薄膜，优化了ITO薄膜的制备工艺，如靶材的角度、氧流量、溅射时间和溅射功率对薄膜的透过率、方阻和表面结构的影响。得到方阻和透过率随靶材的角度、氧流量、溅射时间和溅射功率的变化曲线。当靶材角度在23～25°、氧流量在7～9sccm、溅射时间在60～90min和溅射功率在100～120W时获得可见光透过率高于90％，方阻在10～20Ω/□(方阻单位)之间的优质ITO薄膜。且溅射时间和溅射功率影响ITO薄膜的结晶程度，溅射时间60分钟，在(222)晶面择优取向；溅射功率为120w，在(222)和(221)晶面同时出现了衍射峰。　　通过对ITO薄膜进行热处理，薄膜的透过率和表面形貌进行了优化，当溅射角度较小，氧流量约为7sccm，溅射时间和溅射功率越大时，热处理后的薄膜可见光透过率达到95％以上，薄膜表面粗糙度较小，薄膜致密。　　通过采用射频磁控溅射法在Ar气氛下制备SiO2薄膜，实验结果表明，在相同工艺条件下，调节溅射时间和溅射功率，增透过的ITO薄膜透过率都有提高，透过率在可见光范围内增加幅度先增大后减小，当溅射时间为15min，溅射功率为230W时，可见光透过率最高。由于ITO薄膜的透过率较高，增透后样品可见光透过率最高接近100％。由SEM图可知SiO2薄膜表面致密均匀光滑，平整度较好。SiO2改善了ITO薄膜的表面形貌，表面的光洁度也要强于ITO薄膜。