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该文论述了用溅射法制备InSb薄膜用于制作高性能的霍尔元件.经过大量的实验,制备出了性能良好的InSb薄膜,其电子迁移率达到预定指标.通过对样品霍尔输出特性的测试,分析了工艺条件对薄膜特性的影响,获得了制备InSb薄膜的最佳溅射条件和热处理条件.文中对薄膜形成的基本理论、溅射的基本原理及薄膜电导理论作了简要论述,并介绍了如何选择所用的磁敏薄膜材料、基片材料、热处理保护材料及欧姆接触材料.