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本报告采用真空烧结获得含细小陶瓷颗粒的烧结块,利用重熔稀释法制备了原位TiC、TiB<,2>以及TiB<,2>+TiC颗粒增强的镁基复合材料,并对复合材料的组织和性能进行了研究.采用Al、Ti和B<,4>C粉末烧结获得所需的TiC和TiB<,2>陶瓷颗粒在热力学上是可行的;Al粉主要起介质作用.真空碳管炉制备了含亚微米级TiC和TiB<,2>颗粒的烧结块,分析表明,复合材料母体的颗粒尺寸在100nm-1μm之间.采用重熔稀释法将复合材料母体熔于合金基体中,通过搅拌制得原位TiC、TiB<,2>以及TiB<,2>+TiC颗粒增强的镁基复合材料;结果表明,TiC、TiB<,2>以及TiB<,2>+TiC陶瓷颗粒在AZ91基体中分布均匀,大部分陶瓷颗粒的尺度在亚微米级.沉降观察表明,镁基复合材料中的TiC和TiB<,2>颗粒由于和基体间的比重差异存在明显的沉降现象;通过适当改善工艺可以减轻颗粒的沉降,结果表明,熔化温度高于800℃,保温时间30-45min,搅拌时间30-60min,浇注温度低于700℃时,则颗粒沉降情况将会有所缓解.利用XRD、SEM及EDS等对原位TiC、TiB<,2>和TiB<,2>+TiC颗粒增强的镁基复合材料的组织分析表明,陶瓷颗粒主要存在于基体中,而且尺寸细小、分布较均匀.(TiB<,2>+TiC)<,p>/Mg复合材料由于颗粒的弥散强化,可以较大程度的提高复合材料的显微硬度等力学性能.和纯镁相比,由于位错密度提高,在应力作用下发生位错缠结、塞积,TiC<,p>/Mg复合材料的阻尼性能有所下降;而通过热处理可以消除材料内应力,降低位错密度,相应提高TiC<,p>/Mg复合材料的阻尼性能;热处理可以提高复合材料的阻尼性能.利用熔盐反应制得的TiB<,2>颗粒研究了体积分数为0.8﹪的TiB<,2>颗粒对TiB<,2p>/Mg复合材料的组织的细化作用,结果表明晶粒度由约100μm降为约50μm;室温下复合材料的阻尼具有强烈的应变振幅效应,在测试的应变振幅范围内阻尼出现了极值,这种现象与原位TiB<,2>颗粒对位错的钉扎以及细化颗粒导致晶界增多有关.TiB<,2>的加入强化了AZ91合金的阻尼在100-150℃的峰值,且随着应变频率的增加,峰值出现的温度下降,峰阻尼值也同时下降,但下降幅度不大,颗粒的细化作用增加了晶界对阻尼的影响.