本文设计了一种新材料结构的InGaAs／InP双异质结晶体管（DHBT），并利用双异质结电流模型计算和分析了材料结构参数对InGaAs／InP DHBT集电极电流、复合电流、电流增益、I—V输出特性和开启电压的影响，主要研究内容和结论包括： 1．设计了一种新结构的InGaAs／InP DHBT发射极采用δ掺杂层和阻挡层结构，集电极采用N⁺复合集电极结构，采用这种结构时，InGaAs／InP DHBT可以获得低的开启电压、高的反向击穿电压、良好的I—V输出特性和高的截止频率。 2．建立了一个双异质结电流计算模型，模型计入了复合电流和隧穿电流。利用该模型计算和分析了δ掺杂浓度、基区厚度和掺杂浓度、复合集电极的N⁺层和n^-层的掺杂浓度、厚度变化对电流、I—V输出特性和电流增益的影响。 3．研究表明，增大δ掺杂浓度可以降低发射极导带峰，并减小InGaAs／InP DHBT的开启电压。为有效降低发射极导带峰的高度，δ掺杂浓度应大于1×10¹²cm^-2。随着δ掺杂浓度变大，InGaAs／InP DHBT的复合电流、集电极电流和电流增益逐渐增大，而且δ掺杂浓度越高，电流增益的饱和范围越大。 4．随着基区的厚度、掺杂浓度增大，InGaAs／InP DHBT的电流增益逐渐降低。与基区的掺杂浓度相比，基区的厚度变化对电流增益的影响更为明显。增大复合集电极的n^-层的厚度和N⁺层的掺杂浓度、厚度可以明显改善InGaAs／InP DHBT的I—V输出特性，而n^-层掺杂浓度变化对I—V输出特性的影响很小。