【摘 要】
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半导体激光器腔面钝化主要是通过引入某种原子与工作物质表面的悬挂键结合形成较稳定的、新的化学键,即形成一个稳定的钝化层。本论文以Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器为研究对象
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半导体激光器腔面钝化主要是通过引入某种原子与工作物质表面的悬挂键结合形成较稳定的、新的化学键,即形成一个稳定的钝化层。本论文以Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器为研究对象,研究腔面钝化层不同制备方法,如含硫溶液钝化、氧钝化、氢钝化、氮钝化、硫化氢等离子体钝化。叙述钝化工艺的产生背景及工艺方法。详细对比硫溶液钝化、氮钝化、硫化氢等离子体钝化在不同钝化条件下的钝化效果:硫溶液钝化腔面多种钝化液中,（NH4）2S+t-C4H9OH溶液的钝化效果最佳;用氮钝化、硫化氢等离子体钝化时,N2和H2流量比为20:1、H2S和Ar流量比为1:1。论文归纳各种钝化工艺的存在的问题,提出可能的解决方法。
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