半导体激光器具有较高的电-光转换效率、长使用寿命、小体积、低成本等优点,广泛应用在国防军事、医疗、泵浦源、光存储等多个领域。从工作波段上划分,可以分为砷化镓(Ga As)基半导体激光器和氮化镓(GaN)基半导体激光器两大类。尽管其转换效率最高可达75%,但是剩余的未转换能量会以热的形式在器件内部积累,引起器件退化,甚至会对器件造成不可逆的光学灾变损伤(COD),从而限制激光器的最高输出功率。论文聚焦镓氮基(In GaN/GaN多量子阱结构)半导体激光器,借助傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪,通过变条件、分波段测试材料结构/器件的发射信号,研究器件中存在的缺陷态及其可能导致的热效应,获得了以下几点研究结果:1)可见波段的范围内,激光器除了阱层在450 nm处的发射信号外,还存在较强的黄色发光带(约570-600 nm),该发射信号来源于器件有源区中与GaN基质相关的缺陷发射。2)近红外波段的范围内,观测到多个发射频段的发射信号,包括780-840 nm、900-1100 nm、1200-1320 nm和1480-1620 nm等范围的发射信号。其中,可见近红外的780-840 nm发射信号可能来源于激光器发生受激辐射后,出现的激光诱导的光辐射伴随峰,短波红外的900-1100 nm和1200-1320 nm发射信号来源于衬底中的缺陷发射,而1480-1620 nm的发射信号来源于器件有源区的缺陷发射或器件热辐射的信号。3)中红外波段的范围内,器件在4-12μm存在着较宽的发射带,借助数学处理手段对数据进行分析发现,该信号来源于激光器内部的深能级缺陷发射信号和器件的热效应的共同贡献。在电流低于0.5 A时,这一波段信号主要来源于激光器材料内部的深能级缺陷发射信号;当电流大于0.5 A的时候,这一波段的辐射信号则主要源于器件内部热辐射信号的贡献。