纳米材料科学是一门涉及多学科领域的科学,纳米颗粒由于尺寸小,能产生量子尺寸效应、表面效应、介电限域效应和宏观量子隧道效应等。它们的光学性质和体材料相比有很大的变化。作为纳米技术的一个重要组成部分,半导体量子点不但在基本物理问题上具有独特的性质,而且在光电子器件方面也有巨大的潜在应用。近年来半导体掺杂的量子点的光学性质也引起了人们的重视。针对半导体量子点研究中的热点问题,本论文主要对稀土掺杂的ZnS量子点的制备和表征进行了研究,取得的主要结果如下:1.水相合成技术制备了平均粒径为5nm且分布较均匀的ZnS:Eu量子点。由光谱分析知其具有良好的荧光特性,且发光强度是随着铕离子掺杂浓度的增加而增强的,由于铕离子和锌离子间离子半径的差异及价态的不匹配,影响了铕离子所处ZnS晶格不同对称中心位置的几率分布,使得⁵D₀→⁷F₂与⁵D₀→⁷F₁跃迁的强度在增加的同时,比值也由0.898变为1.0519。并且样品放置的时间还会影响到其发光强度的稳定性。2.采用加入电荷补偿离子,无机壳层包覆和微乳液法制备等手段来改善ZnS:Eu量子点的荧光特性。结果发现经三种方法改善的量子点具有更好的光致发光效率,发射光谱和激发光谱的强度都有不同程度的明显增强。加入电荷补偿离子Li+和Al³⁺离子后的样品和加入之前的样品相比较,两个发光峰的强度平均增强了分别为125.35%,171.3%左右;包覆ZnS壳层后的样品和包覆之前的相比较,两个发光峰的强度平均增强了约为214.55%;微乳液法制备的ZnS:Eu量子点和水相法制备的同种样品相比较,两个发光峰的强度平均增强了约为266.9%。3.本文还利用水相合成技术制备了稀土离子Tb³⁺和Er³⁺掺杂的ZnS量子点,并且发现了ZnS:Er量子点的上转换荧光发射光谱。以810nm的近红外光激发时,它的发射光谱主要由464nm、537nm、576nm三个发光带组成,它们分别对应于Er³⁺离子的⁴F_5/2、²H_11/2、⁴S_3/2到基态⁴I_15/2的跃迁。4.以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为模板剂,拟薄水铝石为无机源,利用喷雾干燥技术合成了粒度分布均匀,平均粒径约为0.7um的有序多孔氧化铝粉末。并利用多孔氧化铝为模板,结合浸渍渗透技术及热处理将Eu₂O₃组装进多孔氧化铝内。荧光光谱发现组装后的Eu₂O₃/Al₂O₃纳米结构复合材料激发光谱有两部分组成,在紫外区有一宽带谱,中心位于264nm,属于Eu³⁺-O2-的电荷迁移跃迁;另一组为一系列很窄的吸收线,它们都是由Eu³⁺中f-f能级的电子跃迁所致。发射光谱最强峰位于614nm,另外在591nm及579nm均有一个较弱的发射峰。