【摘 要】
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该文采用宽频带飞秒脉冲泵浦-探测技术研究了新型半导体材料LT-GaAs中不同能态下光生载流子的超快特性,特别是其中缺陷态对光生载流子的俘获特性.在考虑载流子-载流子散射、
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该文采用宽频带飞秒脉冲泵浦-探测技术研究了新型半导体材料LT-GaAs中不同能态下光生载流子的超快特性,特别是其中缺陷态对光生载流子的俘获特性.在考虑载流子-载流子散射、载流子散射、载流子与LO声子互作用等驰豫机制情况下,借助速率方程,得到了LT-GaAs中载流子的捕获时间约为300fs.该文还研究了LT-GaAs和GaAs泵浦-探测实验测量中的相干耦合现象,分析了其特征和产生的机制.这对正确认识和解释泵浦-探测信号,了解材料的超快动力学特性是很有参考意义的.
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