垂直腔面发射激光器以其良好的纵模性能和输出光斑的对称性得到广泛的研究应用,分布孔结构垂直腔面发射激光器除了拥有垂直腔面发射激光器的优良特点外,还具备单模输出条件,即小的远场发散角,很窄的频谱,高的边模抑制比,且阈值电流也很低。好的输出光斑频谱使得分布孔结构垂直腔面发射激光器更容易与光纤耦合,实现高质量的光纤通信,小的阈值电流使得器件发热小,工作更加稳定,寿命长。这些优点使得分布孔结构垂直腔面发射激光器的研究潜力很大。本论文依靠实验室工艺条件,对分布孔结构垂直腔面发射激光器的设计,制备和光电特性等进行了研究,获得了以下研究进展和成果。　　 (1)根据分布孔的选择损耗作用,模拟了不同深度的分布孔对垂直腔面发射激光器输出模式的影响,不同氧化孔大小形状情况下分布孔对垂直腔面发射激光器输出模式的影响,从中分析总结规律特点,为实际制作器件做好理论指导。　　 (2)在前期项目的基础上,进一步探索优化了关键工艺条件。通过大量的实验掌握了湿法氧化的规律特点,对比了光刻与电子束曝光,三种垫台工艺,金电极剥离工艺,通过实验摸索,形成了高成品率和高稳定性的制作分布孔结构垂直腔面发射激光器的工艺流程。　　 (3)制作出了单模分布孔结构垂直腔面发射激光器,同时制作器件测试是和理论模拟是不断的对比进而优化的。我们按照理论模拟制作了不同分布孔深度,不同氧化孔的器件,测试结构与理论模拟符合的很好,说明了理论模拟的可信度很高。最后得出了最好的器件是直流输出功率2.6mW,阈值电流0.7mA,主模线宽小于0.1nm,边模抑制比31.6dB,远场发散角小于10°的器件,相比于文献中报道的同种器件,在以上参数方面都优于其报道结果。