随着近年来无线通信系统的不断发展,人们对于无线通信设备的需求越来越大,对于其性能要求也越来越高。无线通信系统,例如无线局域网(WLAN)、手机等等,已经进入到了我们生活中的方方面面。功率放大器作为无线收发系统中能量消耗最大的环节,在很大程度上影响着整个系统的性能好坏。目前的功率放大器较多的都是采用化合物半导体工艺制造的,导致其很难与其它基于CMOS工艺的模块集成在同一块芯片上。这就为我们使用CMOS工艺设计功率放大器带来了极大的动力。SOI CMOS工艺与传统的BULK CMOS工艺相比,在功率放大器的设计中,有着很多的优点,例如更小的寄生参数,更好的隔绝度以及方便的版图绘制等等。此次设计中,我们将使用IBM 0.18μm SOI CMOS工艺来完成设计与仿真。本文首先介绍了功率放大器的背景知识,包括功率放大器的性能指标、分类以及提升性能的方法。然后介绍此次设计中使用的SOI CMOS工艺,以及其与传统BULK CMOS工艺的优势。最后详细介绍兼顾效率和线形度的AB类功率放大器与强调效率的F类功率放大器的设计与仿真过程。