21世纪以后全球电子信息产业进入了高速发展时期,各种新型电子器件和芯片层出不穷,同时这也对封装材料性能提出了更高的要求。氧化铝陶瓷作为主要的封装材料成为了研究的热点。本文通过对氧化铝原料的选用,配方的掺杂改性、优化,烧结工艺的探索来研究和制备了满足实际封装需求的氧化铝陶瓷材料。实验和研究表明:首先选用9种不同粒度的Al₂O₃粉料制备陶瓷并对其进行测试,测试结果表明Al₂O₃粉料粒度会对Al₂O₃陶瓷性能产生影响。粒度较小、比表面积较大的Al₂O₃粉体表面能大,能够显著降低Al₂O₃陶瓷烧结温度有利于烧结成瓷。分别采用一元（MgO）、二元（MgO+La₂O₃）、三元（MgO+La₂O₃+Y₂O₃）烧结助剂对Al₂O₃陶瓷进行掺杂改性,研究掺杂含量的变化对陶瓷微波介电性能、微观结构以及抗弯强度的影响。结果表明掺入适量的三种烧结助剂都对陶瓷有助烧作用,提升陶瓷性能。当掺入Al₂O₃陶瓷中的一元、二元、三元助烧剂含量分别为0.15wt.%、0.2 wt.%、0.2 wt.%时,陶瓷具有最佳性能。将掺杂研究所获得最佳性能的配方作为两步常压烧结（按先后顺序采用两种不同烧结温度T₁,T₂的烧结工艺）使用的基料,研究两步常压烧结对陶瓷性能的影响。结果表明两步常压烧结对Al₂O₃陶瓷晶粒细化有非常显著的效果,对于微波介电性能以及机械性能的影响较小。将掺杂研究所获得最佳性能的组分作为混合Al₂O₃粉料烧结的配方,其中的Al₂O₃粉料改用按照一定比例混合的两种不同粒度Al₂O₃粉料,研究不同粒度粉料混合对陶瓷微波介电性能以及机械性能影响。结果表明,不同粒度粉料混合有利于粉体颗粒接触面积和接触数量的增大,表面活性增强,促进陶瓷的致密化。当粒度为0.2μm粉料和0.5μm粉料的比例为15 wt.%和85 wt.%时,陶瓷获得最佳性能,此时ρ=3.981g/cm³,抗弯强度456MPa,Q×f=159100GHz,ε_r=10.05。