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全耗尽SOI器件能够有效地克服体硅器件的不足,充分发挥硅集成技术的潜力,已经在高性能ULSI、VHSI、高压、高温、抗辐照、低压低功耗、存储器及三维集成等领域取得了广泛的应用。随着SOI技术的快速发展,各种新型的SOI器件不断有人提出,这些器件从结构、工艺、制作机制等方面对常规SOI器件进行了改进,从而可以得到满足不同电路要求的器件性能。本文提出的深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET通过采用全耗尽SOI技术把BJMOSFET器件制作在SOI衬底之上,集体硅BJMOSFET和全耗尽SOI技术优点于一身,比传统的MOSFET具有更优异的性能,更加适应集成电路对高速、低功耗的迫切要求。求解深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET沟道区的二维泊松方程,同时考虑背界面二维电场效应的影响,建立了全耗尽SOI BJMOSFET阈值电压的解析模型,在一定的近似条件下得到了其阈值电压的解析表达式,并对深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET和深亚微米全耗尽SOI MOSFET的阈值电压特性进行了数值模拟与分析比较,证明了该新型SOI器件在阈值电压方面的优越性。采用二维分析法对全耗尽SOI BJMOSFET器件的电流电压特性进行详细的理论推导,并运用计算机模拟得到了其电流电压特性曲线,与相同条件下的深亚微米全耗尽SOI MOSFET相比,该新型SOI器件具有更大的电流输出,是一种直流性能优异的新型SOI器件。在对深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET的频率特性进行理论分析的基础上建立了该器件的电容模型和高频等效模型,并利用HSPICE软件对其进行了交流特性的模拟与分析,与相同条件下的全耗尽SOI MOSFET的特性相比,该器件具有较好的频率特性。对全耗尽SOI BJMOSFET的温度特性进行了理论分析及计算机模拟,结果表明,该新型器件具有良好的温度特性。