目前,氢化非晶硅已被广泛用于太阳能电池制作,并作为薄膜场效应管在电视摄像机、计算机存储器和平板显示器等应用中取得了很大进展。因此,制备氢化非晶硅和分析红外光谱以提供其薄膜的准确组态信息,长期以来是一个热门的研究课题。为了解氢化非晶硅的组态信息和Si-H反应体系,在原子分子水平上研究SiH2自由基是十分重要的。本文主要采用多体展开方法,构建了SiH2体系基态（1~1A’）和三个激发态（1~3A’’,1~3A’,2~1A’）的精确势能面,并对相应的分子反应动力学特征进行了详细讨论。对于SiH2基态,采用带有Davison校正的多参考组态相互作用（MRCI（Q））理论在aug-cc-p V（X+d）Z（X=Q,5）基组下计算大量的高精度从头算能量点,并将其外推到完备基组极限,然后采用多体展开方法拟合,构造了SiH2全局精确势能面,同时引入开关函数完美拟合一体项Si由~1D态到~3P态的跃迁,保证其在Si（~1D）+H2（X~1Σg+）和SiH（X~2Π）+H（~2S）两个解离通道中解离行为一致。将此势能面的特征与其他文献进行详细对比,发现一致性很高。此外,为了检验势能面的准确性,利用量子含时波包方法在新势能面上计算了SiH2体系的分子动力学,给出了Si与H2反应的原理,这对氢化非晶硅的制备和组态信息的分析具有一定的启发。为了更系统地探究SiH2体系的动力学特征,在MRCI（Q）水平下,采用态平均理论在aug-cc-p V（X+d）Z（X=Q,5）基组下计算了大量的从头算能量点,并将其外推到完备基组极限,然后采用多体展开方法拟合,构造了SiH2三个激发态全局绝热势能面。利用新构建的势能面研究了解离机制、线性构型[H-Si-H]特点、C2v插入反应特征及能量最小反应路径。最后,使用准经典轨迹法计算了Si+H2（v=0,j=0）→H+SiH反应的积分散射截面,为其他相关SiH2体系激发态动力学的理论研究提供参考。