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CuInS2是一种ⅠB-ⅢA-ⅥA族化合物直隙半导体材料，它的结构、性质和制备方法都与目前人们广泛研究的具有黄铜矿相结构的CuInSe2吸收材料十分相似，二者均具有光吸收系数高(达105 cm-1)、抗辐射性能好、转换效率高和使用寿命长等特点。而由于CuInS2半导体吸收材料具有本征缺陷自掺杂特性，不需要其它元素掺杂，使其成为了一种更具发展潜力的太阳能电池材料。 Mo薄膜作为CuInS2薄膜太阳电池的背接触，其性能的好坏会直接影响到吸收层CuInS2薄膜的质量，而CuInS2薄膜又作为CIS薄膜太阳能电池的吸收层，其性能的好坏对整个电池性能也会产生重要影响，故对Mo薄膜和CuInS2薄膜的制备和研究显得尤为重要。本文采用直流磁控溅射法制备了Mo薄膜和Cu-In合金膜，通过对Cu-In合金膜进行硫化而制得CuInS2薄膜，研究了不同制备工艺参数对Mo薄膜和CuInS2薄膜微观结构和性能的影响。主要工作和结果如下： 采用直流磁控溅射法制备了Mo薄膜，研究了溅射功率和Ar气压对Mo薄膜微观结构的影响。当溅射功率为90 W，Ar气压为0.5 Pa时，Mo薄膜沉积速率较快，而且薄膜致密平整，粗糙度较小。进一步研究了热处理时间和厚度对Mo薄膜微观结构和电学性能的影响。结果表明，随热处理时间的延长，Mo薄膜表面更加致密，晶粒尺寸增大，电阻率降低，反射率先降低后增大；随着厚度的增加，Mo薄膜粗糙度变大，晶粒尺寸也逐渐增大，电阻率逐渐减小，反射率减小。 结合磁控溅射法和硫化法制备了CuInS2薄膜，研究了硫蒸气浓度对CuInS2薄膜微观结构的影响。结果表明，实验中均获得了黄铜矿相结构的CuInS2薄膜，当硫蒸气浓度约为8 mg/cm3时，CuInS2薄膜致密、无杂相。进一步研究了热处理时间和厚度对CuInS2薄膜微观结构和光学性能的影响。研究结果表明，随着热处理时间的增加，CuInS2薄膜表面变得更加致密平整，光吸收能力增强，禁带宽度逐渐减小。在550℃条件下，热处理60 min得到的CuInS2薄膜质量最好。随着厚度的增加，CuInS2薄膜的表面由于硫化反应不充分而导致薄膜粗糙、凹凸不平，出现有害杂相，但是薄膜对光的吸收能力增强，禁带宽度也逐渐增大。