近50年来，基于硅基半导体的集成电路的性能以指数速度快速发展。但是在实际的加工过程中，硅基晶体管的尺寸在物理上已经达到了它的极限，限制了微电子产业的进一步发展。人们把目光投向一些新兴的材料上面，比如 GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、石墨烯和黑磷等二维材料。对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体管的一些研究有助于人们更深地了解新型材料的特性，尤其是这些材料的界面特性，是衡量这些半导体材料是否能够应用在工业领域的关键因素。　　本文采用安捷伦半导体参数测试仪 B1500A和脉冲测试模块 WGFMU搭建了短脉冲测试系统。通过编程来生成执行脉冲测试的电压和时间序列，导入到半导体参数测试仪B1500A中来控制WGFMU模块，实现了双脉冲的IdVd测试和单脉冲的IdVg测试、Id-time测试，测试电流精度可以到μA级别，脉冲的宽度可以到100μs级别。而传统的脉冲测试系统则是由示波器、匹配电阻和脉冲发生器搭建而成。相对于传统的脉冲测试系统，我们的测试系统更加集成化，减小了由于连接电缆过多造成电流损耗。　　测试方面，采用双脉冲测试、单脉冲测试、直流测试手段，测量出不同温度下GaAs MOSFET的输出特性曲线和转移特性曲线，系统研究了不同温度、不同栅极脉冲电压、不同栅极脉冲时间对器件的电学特性的影响，揭示出在外加电压激励下，缺陷能捕获和发射电子，并且捕获过程主要受到外加激励的影响，发射过程主要受到热能(thermal energy)的影响。低温能够显著的影响到缺陷捕获和发射电子的过程，并且根据阈值电压的偏移量计算出了在器件工作的时候，参与到捕获电子这一物理过程的缺陷密度，评估了器件的潜在性能，为工业领域应用GaAs MOSFET提供了指导意义。　　采用长脉冲的测试手段，直观的观察到了在外加激励下电流随时间的衰减特性。通过对曲线的拟合，得到了缺陷响应电子的响应时间大约在几十毫秒量级的结论。另外一方面，在150 K的温度下，观察到了电子滞留在缺陷中并停留一段时间的奇特性质，直观的揭示了电子被陷阱捕获和释放的过程，并对这一过程进行物理层面的分析。