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与无机硅和金属氧化物相比,有机／高分子存储材料具有好的柔韧性、结构可调控、易溶液加工等优点,引起了人们极大的关注和兴趣。存储器中根据断电后信息保留与否可以分为非易失性存储器件和易失性存储器件。非易失性存储器件是研究领域的重点,它是指在断电后信息不会发生丢失的一类器件。非易失性器件中主要包括WORM型和Flash型,前者指一次写入多次读出的器件,后者指可以反复写入和读出的闪存型器件。根据WORM型存储器特点,它可以用来存储一些需要长久存储和利用的信息,有着非常广泛的应用前景。许多D-A型高分子(复合)材料已经被报道用以作为WORM型存储器件,但给／受体强度和比例对性能的影响却鲜有报道。另一方面,芴作为一种良好的空穴传输材料,可以通过不同基团的修饰而成为给体或受体。因此本文设计和制备了一系列具有不同给／受体强度和比例的含芴功能高分子材料,探讨了相关材料的性能差异,取得了初步的研究成果。论文分为4章：第一章主要介绍了WORM型存储材料的器件结构以及存储机制,将材料分为单-聚合物、掺杂聚合物和碳基存储材料三大类,综述了WORM型存储材料的研究进展,并提出了目前存在的问题以及本文的研究重点。第二章通过对比芴单元上是否含有咔唑基团来调控给体强度,合成了聚酰亚胺类高分子PCFHI{聚[(9,9-二亚苯基-2,7-二(3,6-二叔丁基咔唑)芴)-(4,4’-(六氟异丙烯)二苯二甲酰亚胺)]}和PFHI{聚[(9,9-二亚苯基芴)-(4,4’-(六氟异丙烯)二苯二甲酰亚胺)]},把这两个/分子先后制备成器件Al/Polymer/ITO和Al/Polymer/Pt,分别呈现出WORM型和Flash型信息存储性能。在这两种性能中,带有强给体咔唑基的PCFHI相比于PFHI都具有更高的开关比。最后对器件导致的性能差异进行了讨论。第三章通过Yamomoto聚合方法,合成了不同给/受体比例的聚芴高分子PFD{聚[((9,9-二(4-二苯胺基苯基)十芴)-(9,,9-二(4-(3,4-二氰基苯氧基)苯基)芴))]},根据投料比的不同,分别命名为PFD1(给体/受体=9/1)和PFD2(给体/受体=27/1)。测试结果发现带有较高受体比例的高分子PFD1没有信息存储性能,而带有较低受体比例的高分子PFD2具有典型的WORM型信息存储性能。第四章采用Suzuki聚合方法合成了含芴高分子PCFC{聚[(4-氰基联苯)-(9,,9-二己基芴)-(9-苯基咔唑)]}。用该高分子所制备的器件表现为典型的WORM型信息存储性能,开启电压为-1.35V,ON/OFF电流开关比大于10-4,OFF态和ON态在恒定外电压-1V下均可稳定保持3小小时以上,在经过108次读出循环后,ON和OFF态的电流密度均没有发生明显衰减,说明器件不容易受到读出操作次数的影响。