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FeSe是目前已知结构最简单的铁基超导体,在STO(001)衬底上生长的单层FeSe薄膜的超导转变温度高达109K,然而常态下FeSe体材料的超导转变温度仅为8K,这种巨大的差异使人们的兴趣点自然聚焦到了探索FeSe物理属性随层厚增加的变化上。本论文主要研究了多层FeSe薄膜在STO衬底上的分子束外延生长及其原位电输运性质。发现FeSe生长过程中RHEED衍射条纹强度演化的峰型振荡特征符合台阶密度模型的描述,此特征不受高能电子掠射角影响从而可以用来标定生长指定层数的FeSe薄膜样品。摸索出了生长两层